AD8317 RF パワーメーターアンプ対数検出器コントローラー |
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データ番号 |
1857 |
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区 分 |
部品 |
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分 類 |
センサ |
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品 名 |
AD8317 RF パワーメーターアンプ対数検出器コントローラー |
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発売元 |
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価 格 |
2,039円 (10%税込み) |
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主要部品 |
− |
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電 源 |
5Vdc |
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概略仕様 |
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付属基板 |
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付属ケース |
無し |
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外形寸法 |
基板単体時 : W 55.8mm D 36.1mm H 10.5mm (コネクタ含む) |
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追加購入 |
− |
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コメント |
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改 造 |
− |
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その他 (製作例) |
【 Amazon 商品画面 (購入時価格表示) 】
【 商品パッケージ外観1 】
【 商品パッケージ外観2 】
【 基板外観1 】
【 基板外観2 】
【 基板外観3 】
【 基板外観4 】
【 基板外観5 】
【 基板外観6 】
【 基板外観7 】
動 作 確 認
5Vdc電源を供給して動作確認をしました。 高周波信号の信号源として「LiteVNA64」「NanoVNA−H」「USB−SA44B ・USB−TG44A」を用いることにしました。 まず最初に周波数帯域の最も広い「LiteVNA64」で全体概要を把握することにしました。
【 通電時外観 】
測定周波数範囲は「LiteVNA64」の仕様の50kHz〜6.3GHzとして、キャリブレーション後に50Ω負荷のリターンロス(RL)を測定しました。 個人的 判断ですが、「LiteVNA64」付属のケーブルを用いた今回の測定系では RL=−20dB(VSWA≒1.2)以下となっている5GHz以下を測定上限と判断しました。
【 50Ω負荷リターンロス測定 】 最初に本基板の入力回路の適正さを確認しました。 最も簡単な 方法である入力回路の(SMAコネクタのしん線とGND間)直流抵抗をテスターで測定すると、ありません、、、、、 何が? 抵抗値が数MΩです。 何で??????? 高周波的にもそうなっているのかを確認するために「LiteVNA64」でリーターンロスを測定しました。
【 リターンロス測定結果1 】
どうみても回路がオープンになっていると思われます。 入力回路を確認するためにシールドケースを外すことにしました。 普通は基板にハンダ付けされたシールドケースを外すのは大変なのですが、今回は簡単に外せました。 雑なハンダ付け作業のおかげです。
【 シールドケース取り外し後の基板外観 】
【 入力回路部分の基板・パターン外観 】
商品の基板の回路部品とパターンから類推すると、この商品の基板はAD8317のデータシートに掲載されている評価基板の回路に準じているようです。 評価基板回路に逆電圧防止用ダイオードと給電表示回路を追加しているようです。 部品番号はほぼ同じで一部の部品の定数が変更されています。 今回問題となる入力回路のR1には評価基板回路と同じく52.3Ωのチップ抵抗が実装されていました。 が、R1の片端をGNDに接続するパーターンやスルーホール/スルーホールビアが見当たりません。 原因はここのようです。 データーシート記載の回路図を参照にするだけではなく、データーシートには基板アートワークまで記載されていますのでこれも参考にして欲しかったです。
出典元 Analog Device, Inc データーシート AD8317.pdf 【 データーシート 評価基板回路 】
改めてAmazonの注文時の画面を確認してみると商品Webページの基板の写真と手持基板の外観が違います。 部品実装・基板アートワークも違っていますし、基板名称表記も異なっていました。 商品Webページは「AD8317 EVAL BD NWDZ V1.0」となっていますが、手持基板には「V1.0」の表記が抜けています。 推測ですが、手持ち基板の商品の欠陥が見つかり「V1.0」に変更したようです。 また、スルーホールビアなどの外観を見比べるとア―ドワークも少しは高周波屋さんの手が入っているようです。 でも、ガチガチの高周波屋さんではないようです。
【 「V1.0」外観(部品実装面) 】
R1の片端をGNDに接続する方法はいろいろ考えられますが、今回は銅テープ片を貼り付けてハンダ付けをしました。 その後シールドケースを取り付けました。
【 R1のGND接続1(銅テープ貼付け) 】
【 R1のGND接続2(銅テープをハンダ付け) 】
【 R1のGND接続1(シールドケース取付け) 】
R1のGND接続作業終了後、再度「LiteVNA64」でリーターンロスを測定しました。 その結果を下記に掲載します。
【 修理後のリターンロス 】
ここでもRL≦ー20dBを仕様範囲とすると、本基板の使用範囲は最大約1.4GHzと判断しました。 上記測定結果はR1のGND接続方法によっても大きく異なると思います。 あくまでも当方のGND接続方法による結果です。 ここまでの測定において、時たま本基板のVout出力が発振する現象を経験しました。、結構微妙な影響の有無で発生有無が変化します。 詳細な原因究明はしていませんが、慣例的にVout〜GND間にキャパシタンスを設けることで発振を抑え込むこことができそうでした。 ただし、Voutの応答が悪くなります。 今回は静的な高周波電力の測定として利用することを想定していますので応答を重要視していません。 今回はキャパシタを追加することにしました。 100pF程度では対策とならず、最終的には0.022μFの積層セラミックキャパシタを追加しました。
上記の場合、入力信号と同じ周期で、振幅は約2.2Vを越えていました。 【 Vout発振現象時の波形 】
Voutコネクタに接続された水色の部品が対策用積層セラミックキャパシタです。 【 発振対策後の基板外観 】
上記の確認・変更をした後に「LiteVNA64」 ・「NanoVNA−H」・「USB−SA44B ・USB−TG44A」のトラッキングジェネレータ信号の強度レベルを測定しました。 下記にその結果を掲載します。
【 「USB−TG44A」測定結果 】
「USB−SA44B ・USB−TG44A」のTG出力は正弦波のようです。 2GHzまでしか確認できていませんが、設定周波数=TG出力周波数でした。 また、TG出力設定レベルに対するオシロスコープによるRFin波形を観測して、この波形からRFinの入力電力を計算すると、TG出力レベル設定値とほぼ一致していました。 その際のVoutとの関係を下記に掲載します。
「LiteVNA64」 と「NanoVNA−H」は方形波出力で、測定周波数帯域により方形波の基本波もしくは方形波の高調波を利用して測定しています。 そのため、測定する設定周波数に対してPORT1発振周波数は整数分の1の周波数の方形波となります。
【 「NanoVNA−H」測定結果 】
【 「LiteVNA64」測定結果 】
上記結果より「LiteVNA64」 と「NanoVNA−H」のPORT1出力信号レベルはAD8317の最大入力レベル(±1%エラー時)を越えています。 ただし、絶対定格は越えていないようです。
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データ作成者 CBA
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本表の記載内容はデータ作成者の現状を表しているものであり、キット本来の機能・性能を表しているものではありません。
データ作成者の製作ミスなどにより、本来の機能・性能を出していないこともあります。
本表記載内容は、キット・部品購入時点における情報です。製造中止になったものや変更となっているものもあります。
追加購入部品欄にはケース・配線材料など共通的な部品については記載していません。
改造は各自の責任で行って下さい。
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