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高電圧出力昇圧DC−DCコンバータ (AKIT-150V1.1)

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データ番号

1088

区 分

キット

分 類

電源

品 名

高電圧出力昇圧DC−DCコンバータ (AKIT-150V1.1)

発売元

(株)秋葉原 aitendo

価 格

600円(8%税別) (昇圧型DC−DC基板 (P-150V34063)90円含む)

主要部品

MC34063AP1 IRF740 2SA1015-GR FR107

電 源

+8〜12Vdc

概略仕様

   

概要

DC電源を昇圧して約400Vdc程度の高電圧を発生するDC−DCコンバータのキット。

入力電圧

+8〜12Vdc

出力電圧

入力電圧、および、負荷により出力電圧可変範囲が変化します。

出力126−382Vdc (入力電圧仕様記載無し)

(実測例を製作例に掲載しています。)

出力電流

3〜5mA

接続

入力 : 5.08mmピッチ 2Pターミナルブロック

出力 : 5.08mmピッチ 2Pターミナルブロック

     

付属基板

専用基板 P−150V34063

付属ケース

無し

外形寸法

基板単体完成時 W 61.0mm D 51.0mm H 29.6mm (追加した放熱板除く)

追加購入
部品

パワーMOSFET用放熱板が必須です。

コメント

改 造

その他

(製作例)

   

【 キット パッケージ外観 】

 

【 キット 構成品 】

 

【 プリント基板 (部品面) 】

 

【 プリント基板 (ハンダ面) 】

 

【 部品パッケージ1 外観 】

 

【 部品パッケージ1 部品1 】

 

【 部品パッケージ1 部品2 】

 

【 部品パッケージ1 部品3 】

 


製 作 例

 

【 Step1 抵抗取付け 】

 

【 Step2 ダイオード取付け 】

 

【 Step3  可変抵抗VR1、キャパシタC1,C2取付け 】

 

【 Step4 トランジスタQ1,IC U11取付け 】

 

【 Step 5 電解キャパシタC1、端子台J1・J2取付け 】

 

【 Step 6 電解キャパシタC2、インダクタL1、抵抗R1取付け 】

 

 パワーMOS FETは発熱しますので放熱板が必須です。 手持ちの放熱板のなかから写真の放熱板を利用しましたが、これで放熱効果hが不足しています。 もっと大きい放熱板にしようと試みましたが、オンボード状態で利用できる大き目の放熱板が周辺部品と干渉しました。 そのため暫定的に上記写真の放熱板そのままとしました。

【 Step7 パワーMOS FET取付け(基板完成外観1) 】

 

【 基板完成外観2 】

 

【 基板完成外観3 】

 

 インダクタL1で高電圧を発生します。 低圧回路パターンとの絶縁距離を確保するためにインダクタL1を基板から少し浮かして実装しています。

【 基板完成外観4 】

 

【 基板完成外観5 】

 

【 基板完成外観6(ハンダ面) 】

 


動 作 確 認 

  出力電圧の波形をACカップリングしてリップル波形を観測した結果を下記に掲載します。 出力設定行に記載したDC電圧に画像のリップル波形が生じています。

 

入力電圧 11.7Vdc

電圧軸 200mV/div

出力設定 最大設定(392Vdc)

時間軸 5μs/div

【  波形1 負荷抵抗470kΩ 最大電圧設定出力時 リップル波形 】

 

入力電圧 11.7Vdc

電圧軸 1V/div

出力設定 最大設定(136Vdc)

時間軸 10ms/div

【  波形2 負荷抵抗470kΩ 最大電圧設定出力時 リップル波形 】

 

入力電圧 11.7Vdc

電圧軸 500mV/div

出力設定 最大設定(196Vdc)

時間軸 5μs/div

【  波形3 負荷抵抗22kΩ 最大電圧設定出力時 リップル波形 】

 

入力電圧 11.7Vdc

電圧軸 500mV/div

出力設定 最大設定(136Vdc)

時間軸 1ms/div

【  波形4 負荷抵抗22kΩ 最大電圧設定出力時 リップル波形 】

 

 負荷抵抗10kΩ〜約470kΩの範囲における入力電圧と出力電圧可変範囲を実測しました。 その結果を下記に掲載します。

 

(注意:横軸は対数軸です。)

【 負荷抵抗 v.s. 出力電圧 】

   
  

データ作成者 CBA

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注意事項


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